電子混合氣-Electron mixture gas

admin — Mon, 20 Mar 2023 06:36:09 +0000

電子氣體混合氣體分類

序號No.	Electron gas mixture summary
1	二氯硅烷（DCS)5000ppm + N2；二氯硅烷（DCS) 15ppm + N2
2	二氯硅烷（DCS)10 ppm + 三氯硅烷(TCS)10 ppm + 氦He
3	HCl 50ppm + 二氯硅烷（DCS)1000ppm + 平衡He
4	硅烷（H4Si）1% + 二氯硅烷（DCS)1% + 三氯硅烷(TCS)1% + 四氯化硅Cl4Si 1% +N2
5	硅烷（H4Si）50ppm + 三氯硅烷(TCS)1000ppm + He
6	三氯硅烷(TCS) 15ppm + N2
7	乙硅烷(Si2H4） 100ppm ～ 200ppm + H2
8	乙硅烷 10ppm + He
9	CO2 5ppm+硅烷（H4Si）135ppm + 乙硅烷 (Si2H4）1000ppm + He
10	SiH4 5ppm～15%+Ar(H2/N2/He)
11	H2 5ppm + Ar 5ppm +N2 5ppm +CO 5ppm + CH4 5ppm + CO2 5ppm + 硅烷（H4Si）1000ppm 的平衡He
12	乙硼烷（B2H6） 50～100ppm + H2
13	砷烷（AsH3） 100ppm～0.7% + H2
14	鍺烷（GeH4） 1%～10% + H2
15	三氯化硼（BCl3）1%～5% + N2（He）
16	PH3 0.8ppm ～ 500ppm + He(H2)
17	HCl 9ppm～50% + N2
18	NF3 99.99% 180g～1500g
19	NF3 20ppm～30ppm + Air
20	NF3 15ppm + N2
21	CF4 80% + O2
22	Ar 5ppm～80% + Ne（H2/He/N2）
23	Kr 8%～50% + Ar
24	Ne 80%～97% + Ar

也用于半導體制造過程化學汽相淀積、晶體生長、熱氧化、epitSome氣體可直接用作半導體的來源,如硅源、硼源、磷源和化學氣相沉積(CVD)的來源。axy、擴散、多晶硅、鎢酸離子注入,載流子,燒結(jié)等。

在大規(guī)模集成電路(LSI),超大規(guī)模集成(VLSI)、半導體和電子設(shè)備生產(chǎn)加工過程,電子氣體主要用于氣相外延生長,化學氣相沉積、摻雜(雜質(zhì)擴散)、蝕刻、離子注入、濺射、退火、系統(tǒng)壓力,清潔清洗、吸覆蓋、氧化和還原過程。