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四川省成都市高新區天府大道北段1700號
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Monday to Friday: 9AM - 6PM
CAS No. | ?7783-54-2 |
UN No. | ?2451 |
EINECS No. | ?232-007-1 |
Molecular weight | ?71.0019 |
Appearance | ?colourless, odourless |
Melting point | ?-206.79℃ |
Boiling point | ?-129.0℃ |
Density | ?2.96kg/m3 |
DOT Class | ?2.2 & 5.1 |
Label | ?Non-flammable Gas, Oxidizing Agent |
三氟化氮是用作氟化氫-氟化氣高能化學激光器的氟源,在h2-O2 與F2之間反應能的有效部分(約25%)可以以激光輻射釋放出,所HF-OF激光器是化學激光器中最有希望的激光器。三氟化氮是微電子工業中一種優良的等離子蝕刻氣體,對硅和氮化硅蝕刻,采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性,而且對表面無污染,尤其是在厚度小于1.5um的集成電路材料的蝕刻中,三氟化氮具有非常優異的蝕刻速率和選擇性,在被蝕刻物表面不留任何殘留物,同時也是非常良好的清洗劑。
用于氟化氫和氟化氘激光,這是化學激光的一種。
良的等離子蝕刻氣體。
Specification | 99.99% |
---|---|
Carbon Tetrafluoride | ≤40 ppm |
Nitrogen | ≤10 ppm |
Oxygen+Argon | ≤5 ppm |
Carbon Monoxide | ≤1 ppm |
Carbon Dioxide | ≤3 ppm |
Nitrous Oxide | ≤3 ppm |
Sulfur Hexafluoride | ≤3 ppm |
Moisture | ≤1 ppm |
Express as HF | ≤1 ppm |
Specification | 99.996% |
---|---|
Carbon Tetrafluoride | ≤20 ppm |
Nitrogen | ≤5 ppm |
Oxygen+Argon | ≤3 ppm |
Carbon Monoxide | ≤1 ppm |
Carbon Dioxide | ≤0.5 ppm |
Nitrous Oxide | ≤1 ppm |
Sulfur Hexafluoride | ≤2 ppm |
Moisture | ≤1 ppm |
Express as HF | ≤1 ppm |
Cylinder Capacity | Valve | Weight |
---|---|---|
10L | DISS640 | 4 kgs |
47L | DISS640 | 20 kgs |
440L | DISS640 | 195 kgs |
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